Datasheet下载- 型号： BUB323Z
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUB323Z由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUB323Z价格参考。ON SemiconductorBUB323Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUB323Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUB323Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUB323Z是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于高电压和高电流的应用场景。该晶体管具有较高的电压耐受能力（最高耐压为100V），并可承受较大的集电极电流（最高达8A），具备较强的稳定性和可靠性，适用于功率放大和开关控制等场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与DC-DC转换器：BUB323Z适用于中高功率的开关电源、DC-DC转换器等，作为开关元件使用，具有良好的导通和关断特性。 2. 电机驱动电路：在电机控制和驱动电路中，该晶体管可用于控制电机的启停和速度调节，适用于工业自动化和家电设备。 3. 照明系统：如LED照明驱动电路中，作为电流调节或开关元件使用。 4. 汽车电子：因其高可靠性和耐压特性，也适用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车灯控制、风扇驱动等。 5. 消费类电子产品：如电源适配器、充电器、音频放大器等设备中，用于功率放大或开关控制。 综上，BUB323Z适用于需要较高电压和电流处理能力的通用功率控制和放大电路，广泛用于工业、消费电子及汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUB323Z |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.7V @ 250mA，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 500 @ 5A，4.6V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
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