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  • 型号: MJD117T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD117T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD117T4G价格参考¥1.21-¥3.87。ON SemiconductorMJD117T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD117T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD117T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJD117T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号具有高电流处理能力和良好的开关性能,广泛应用于需要功率控制和信号放大的场景中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - MJD117T4G 可用于开关电源、线性稳压器等电路中的开关或驱动元件。它能够承受较高的集电极电流(最大可达 15A),适合在电源管理模块中实现高效的功率转换。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,MJD117T4G 可作为功率放大器或开关器件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。

 3. 继电器驱动
   - 该晶体管可用于驱动电磁继电器或接触器,通过控制小电流来切换大电流负载,实现对设备的远程或自动化控制。

 4. 音频功率放大
   - MJD117T4G 的高电流能力使其适用于低功率音频放大器的设计,特别是在需要驱动扬声器或其他音频负载的情况下。

 5. 负载开关
   - 在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中(如 LED 照明、加热元件等),MJD117T4G 可用作高效的开关器件。

 6. 保护电路
   - 它可以集成到过流保护、短路保护或限流电路中,确保系统在异常情况下不会因过载而损坏。

 总结
MJD117T4G 凭借其出色的电流承载能力和可靠性,成为许多工业、消费电子和汽车应用的理想选择。在设计时需注意散热问题,因为其工作时可能会产生较大的功耗。此外,合理的偏置电路设计对于发挥其最佳性能至关重要。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJD117T4G-

数据手册

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产品型号

MJD117T4G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 40mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 2A,3V

产品目录页面

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

MJD117T4GOSDKR

功率-最大值

1.75W

功率耗散

20 W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工厂包装数量

2500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最大集电极截止电流

20 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

20µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

1000

系列

MJD117

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

25MHz

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