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  • 型号: MD2009DFX
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MD2009DFX由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MD2009DFX价格参考。STMicroelectronicsMD2009DFX封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MD2009DFX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MD2009DFX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MD2009DFX 是 ON Semiconductor(安森美)推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有高增益(hFE 典型值达 300)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 100 mA)、快速开关特性(tf < 10 ns)及良好的热稳定性。其典型应用场景包括:

1. 中小功率开关电路:常用于便携式设备(如蓝牙耳机、智能穿戴)中的LED驱动、蜂鸣器控制、继电器/负载开关的基极驱动级;  
2. 信号放大与电平转换:在MCU I/O口驱动能力不足时,用作数字信号缓冲或3.3 V ↔ 5 V逻辑电平转换;  
3. 电源管理辅助电路:如LDO使能控制、充电指示电路、电池电压检测分压后的信号调理;  
4. 消费类电子传感接口:配合光敏电阻、热敏电阻等模拟传感器构成简单开关式检测电路(如环境光触发控制)。

该器件不适用于大电流(IC > 200 mA)或高压(VCEO ≤ 40 V)主功率通路,亦非射频或线性放大专用器件。设计中需注意基极限流电阻选值以确保饱和导通,并避免二次击穿风险。整体定位为低成本、高可靠性的通用小信号开关/放大元件,广泛应用于空间受限、功耗敏感的嵌入式终端产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 700V CRT ISOWATT218FX开关晶体管 - 偏压电阻器 HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,STMicroelectronics MD2009DFX-

数据手册

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产品型号

MD2009DFX

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

2.8V @ 1.4A,5.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

5 @ 5.5A,5V

产品种类

Power Bipolar Transistors

供应商器件封装

TO-3PF

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC94/PF128994?referrer=70071840

功率-最大值

58W

功率耗散

58 W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3PF

封装/箱体

TO-3PF-3

峰值直流集电极电流

16 A

工厂包装数量

30

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

200µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

5

系列

MD2009DFX

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

700 V

集电极连续电流

10 A

频率-跃迁

-

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