【未分类_MCP14E9-E/SN】封装/厂家_MCP14E9-E/SN中文资料_价格

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型号： MCP14E9-E/SN
制造商： Microchip
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MCP14E9-E/SN由Microchip设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCP14E9-E/SN价格参考。MicrochipMCP14E9-E/SN封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MCP14E9-E/SN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCP14E9-E/SN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCP14E9-E/SN 是 Microchip Technology 推出的一款单通道、高速、低侧 MOSFET/IGBT 栅极驱动器（PMIC 类），采用 SOIC-8 封装，具有 4 A 峰值拉电流和 4 A 峰值灌电流能力，传播延迟低至 25 ns（典型值），支持宽输入电压范围（4.5 V 至 18 V），并具备欠压锁定（UVLO）、热关断及反向电流保护等可靠性特性。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：如同步整流 Buck/Boost 转换器中驱动低侧功率 MOSFET，提升效率与动态响应；  
✅ 电机驱动系统：用于 BLDC 或步进电机驱动板的低侧开关控制，配合高边驱动或半桥架构；  
✅ LED 恒流驱动器：在降压型 LED 驱动电路中快速开关功率管，实现高精度调光与高频率 PWM 控制；  
✅ 工业电源模块与 DC-DC 模块：适用于紧凑型、高功率密度设计，满足工业自动化设备对驱动速度与鲁棒性的要求；  
✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：驱动放电/充电路径中的低侧检测 MOSFET，实现快速过流/短路保护响应。

该器件不适用于高侧直接驱动或浮地应用（无自举或隔离功能），需搭配外部逻辑电平信号（兼容 TTL/CMOS）使用。其小封装、高驱动能力与高可靠性，使其广泛应用于对成本、尺寸与性能有综合要求的中功率电力电子系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)半导体
描述	IC MOSFET DRIVER 3A 8SOIC门驱动器 2A MOSFET Driver
产品分类	PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC
品牌	Microchip Technology
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	电源管理 IC,门驱动器,Microchip Technology MCP14E9-E/SN-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MCP14E9-E/SN
PCN组件/产地	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5774&print=view
PCN设计/规格	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5704&print=view
上升时间	14 ns
下降时间	17 ns
产品	MOSFET Gate Drivers
产品种类	门驱动器
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	MCP14E9ESN
包装	管件
商标	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工作温度	-40°C ~ 125°C
工厂包装数量	100
延迟时间	45ns
最大功率耗散	699 mW
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	100
电压-电源	4.5 V ~ 18 V
电流-峰值	3A
电源电压-最大	18 V
电源电压-最小	4.5 V
电源电流	1800 uA
类型	Dual High Speed Power MOSFET Driver
输入类型	反相
输出数	2
输出电流	3 A
配置	低端
配置数	2
高压侧电压-最大值（自举）	-