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  • 型号: UCC27324DR
  • 制造商: Texas Instruments
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UCC27324DR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供UCC27324DR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UCC27324DR价格参考。Texas InstrumentsUCC27324DR封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC。您可以下载UCC27324DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UCC27324DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

UCC27324DR是Texas Instruments推出的一款高性能双通道栅极驱动器,广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合。其典型应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及电源适配器等电力电子系统。

该器件具有高电流输出能力(峰值拉电流和灌电流均可达2A),可快速充放电MOSFET栅极,有效减少开关损耗,提高系统效率。内部集成的非反相与反相驱动配置支持同步整流或半桥拓扑结构,适用于推挽、全桥和半桥电路设计。同时,UCC27324DR具备宽输入电压范围(10V至15V)和良好的噪声抑制能力,适合工业环境中的可靠运行。

此外,该芯片采用SOIC-8封装,体积小,易于布局,且具备较强的抗干扰能力和热稳定性,因此在工业电源、光伏逆变器、电动工具电源模块及LED驱动电源中均有广泛应用。其快速传播延迟(约18ns)和匹配的上升/下降时间也确保了多相系统中的精确时序控制。

综上所述,UCC27324DR是一款适用于中高功率开关应用的可靠栅极驱动器,特别适合对效率、响应速度和系统稳定性有较高要求的电源设计场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC门驱动器 Dual 4 A Peak High Speed Low-Side

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

电源管理 IC,门驱动器,Texas Instruments UCC27324DR-

数据手册

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产品型号

UCC27324DR

PCN组件/产地

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上升时间

40 ns

下降时间

40 ns

产品种类

门驱动器

供应商器件封装

8-SOIC

其它名称

296-27156-1

包装

剪切带 (CT)

单位重量

72.600 mg

商标

Texas Instruments

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工作温度

-40°C ~ 125°C

工厂包装数量

2500

延迟时间

25ns

最大功率耗散

1140 mW

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

激励器数量

2

电压-电源

4.5 V ~ 15 V

电流-峰值

4A

电源电压-最小

4.5 V

电源电流

0.75 mA

类型

Low Side

系列

UCC27324

输入类型

非反相

输出数

2

输出端数量

2

配置

低端

配置数

2

高压侧电压-最大值(自举)

-

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