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- 型号： MCH3479-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3479-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3479-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3479-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3479-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3479-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3479-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 190mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和高开关效率。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其小尺寸与低功耗特性节省PCB空间； 2. LED驱动与背光控制：作为PWM调光的高端/低端开关，实现高效、快速响应的亮度调节； 3. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作同步整流管，提升转换效率（尤其在低压大电流场景）； 4. USB Type-C接口保护与电源路径管理：配合控制器实现过流/反向电流防护及热插拔控制； 5. IoT传感器节点与可穿戴设备：在空间受限、电池供电的微功耗系统中用于电源域隔离或使能控制。 该器件额定电压为−20V，连续漏极电流达−0.5A（Ta=25°C），支持−55℃~+150℃工作温度范围，具备良好的热稳定性和ESD防护能力（HBM > 2kV），适用于高可靠性、小型化、高能效的消费类与工业级嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 3.5A 20V MCPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCH3479-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 64 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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