Datasheet下载- 型号： MC33151VDR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33151VDR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33151VDR2G价格参考。ON SemiconductorMC33151VDR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MC33151VDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC33151VDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33151VDR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能栅极驱动器，主要应用于电源管理和功率转换系统中。该器件是一款单通道高压高速栅极驱动器，常用于驱动MOSFET或IGBT等功率开关器件。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC电源适配器、服务器电源、电信电源系统等，用于高效控制功率开关，提高系统能效和稳定性。 2. 电机驱动与控制：在无刷直流电机（BLDC）、伺服电机或工业自动化控制系统中，作为功率管的驱动级，提供快速响应和高驱动能力。 3. DC-DC转换器：用于升压（Boost）、降压（Buck）或双向DC-DC变换器中，实现高效的能量转换。 4. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于驱动高频开关器件，提升系统效率与可靠性。 该芯片具备高耐压（可承受高达600V的电压）、强驱动能力（输出电流可达±2.0A）、低传输延迟和抗干扰能力强等特点，适用于恶劣工业环境下的高可靠性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MC33151VDR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MC33151VDR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 35ns |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 6.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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