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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33151DR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33151DR2价格参考。ON SemiconductorMC33151DR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MC33151DR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MC33151DR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33151DR2 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能栅极驱动器,广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于驱动功率开关管,提高转换效率和系统稳定性,适用于AC-DC、DC-DC转换器等电源模块。 2. 电机驱动系统:在无刷直流电机(BLDC)或步进电机控制中,作为功率管的驱动级,提供快速响应和高驱动能力。 3. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等,用于控制功率器件的导通与关断,实现精准的电机控制。 4. 汽车电子:应用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)或车载充电器(OBC)中,具备良好的抗干扰能力和工作稳定性。 5. 可再生能源系统:如太阳能逆变器、储能系统等,用于高效控制功率器件的开关动作,提升能源转换效率。 该器件具有高驱动电流能力、宽工作电压范围、低传输延迟和内置欠压保护功能,适用于中高功率的电力电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MC33151DR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 延迟时间 | 35ns |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | 6.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | - |