Datasheet下载- 型号： MBRB30H60CTT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRB30H60CTT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRB30H60CTT4G价格参考￥6.96-￥6.96。ON SemiconductorMBRB30H60CTT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBRB30H60CTT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRB30H60CTT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBRB30H60CTT4G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款二极管整流器阵列，属于超快恢复整流器系列。以下是其主要应用场景及特点： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：适用于各种开关模式电源设计，如适配器、充电器和工业电源。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为续流二极管，提供高效的能量传递。 - 逆变器：用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中，实现直流到交流的高效转换。 2. 电机驱动 - 在电机驱动电路中，该二极管可用于保护电路免受反向电动势的影响，同时支持高效的电流整流。 3. 电池管理系统 (BMS) - 用于电池充放电管理中的整流和保护功能，确保电池组的安全运行。 4. 通信设备 - 在通信基站、路由器和其他网络设备中，用作高效的整流元件，支持低功耗和高可靠性的需求。 5. 消费电子 - 应用于电视、音响系统、家用电器等产品的电源模块中，提供稳定的直流输出。 6. 工业自动化 - 在工业控制和自动化设备中，用于电源转换和信号处理电路中的整流功能。 特点与优势： - 高效率：超快恢复时间（典型值为 75 ns），降低开关损耗。 - 高耐压：额定电压为 600V，适合高压应用环境。 - 大电流能力：额定正向电流为 3A，能够承受较大的负载电流。 - 低正向压降：减少功率损耗，提高整体效率。 - 紧凑封装：TO-252 (DPAK) 封装，节省 PCB 空间，便于散热设计。 总结来说，MBRB30H60CTT4G 适用于需要高效整流、快速响应和高可靠性的电力电子应用场合，尤其在电源管理、电机驱动和工业自动化领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK肖特基二极管与整流器 30A/60V H-SERIES D2PAK |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRB30H60CTT4GSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRB30H60CTT4G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 620mV @ 15A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 300µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | MBRB30H60CTT4GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 300 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 260 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.78 V at 30 A |
| 正向连续电流 | 15 A |
| 热阻 | 1.6°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 60V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 15A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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