Datasheet下载- 型号： MBRA1H100T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRA1H100T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRA1H100T3G价格参考。ON SemiconductorMBRA1H100T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBRA1H100T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRA1H100T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBRA1H100T3G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的超快恢复整流器二极管，属于 MBRA 系列。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) - MBRA1H100T3G 的高频率性能和低反向恢复时间 (trr) 使其非常适合用于开关电源中的整流部分。其 1A 的正向电流和 100V 的额定电压能够满足许多中小功率 SMPS 的需求。 2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter) - 在 DC-DC 转换器中，该二极管可以作为输出整流器，帮助将高频交流信号转换为稳定的直流电压。其低正向压降 (VF) 可以减少功耗，提高转换效率。 3. 逆变器电路 - 该型号的快速恢复特性使其适合用在逆变器电路中，尤其是在需要高频工作的场景下，例如太阳能逆变器或电机驱动逆变器。 4. 续流二极管 - 在电感性负载电路（如电机控制、继电器驱动等）中，MBRA1H100T3G 可用作续流二极管，保护开关器件免受反电动势的影响。 5. 电池充电电路 - 该二极管可用于电池充电器中的整流部分，确保电流单向流动，防止电池反向放电。 6. LED 驱动电路 - 在 LED 驱动电路中，MBRA1H100T3G 可用于整流或保护电路，确保 LED 的正常工作并提高系统效率。 7. 通信设备 - 由于其高频性能，该二极管也适用于通信设备中的电源管理模块，例如基站电源或网络设备电源。 特性总结： - 低反向恢复时间 (trr)：典型值为 35ns，适合高频应用。 - 低正向压降 (VF)：在大电流下保持较低功耗。 - 高浪涌能力：能够承受瞬时大电流冲击，增强可靠性。 综上所述，MBRA1H100T3G 广泛应用于各种需要高效整流和高频工作的电子设备中，特别适合对效率和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA肖特基二极管与整流器 1A 100V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRA1H100T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRA1H100T3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 760mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 40µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMA |
| 其它名称 | MBRA1H100T3GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SMA |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 mA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.76 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | MBRA1H100 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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