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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MASMLG11AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MASMLG11AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MASMLG11AE3价格参考。MICRO-SEMIMASMLG11AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MASMLG11AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MASMLG11AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MASMLG11AE3是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于电路中对敏感电子元件进行过电压保护。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于需要防止静电放电（ESD）、电感性负载切换和雷击引起的瞬态电压的场合。 其主要应用场景包括： 1. 通信设备保护：用于保护以太网接口、USB端口、RS-485等通信线路，防止静电和瞬态电压损坏主控芯片或接口电路。 2. 工业控制系统：在PLC、变频器、传感器等工业设备中，用于保护控制电路和信号线路免受开关瞬态和静电干扰。 3. 汽车电子系统：可应用于车载电子模块如ECU、CAN总线通信接口等，提供对车辆电气系统中产生的瞬态电压的保护。 4. 消费电子产品：如智能家电、显示器、数码设备等，用于保护电源输入口和数据接口。 5. 电源管理系统：在电源适配器、电池管理系统中使用，防止因电源波动或外部干扰导致的电压尖峰损坏后级电路。 MASMLG11AE3采用表面贴装封装，适合自动化生产，广泛应用于对空间和可靠性要求较高的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10563-msml-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MASMLG11AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMLG (DO-215AB） |
| 其它名称 | 1086-6213 |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-215AB，SMC 鸥翼型 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 164.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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