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产品简介:
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M29F800DB55N6E 是由 Micron Technology Inc.(美光科技)生产的一款存储器芯片,属于闪存(Flash Memory)类别。该型号为8MB(兆字节)容量的NOR型闪存,适用于需要非易失性存储(即断电后数据不丢失)的嵌入式系统。 该芯片的典型应用场景包括: 1. 嵌入式控制系统:如工业控制设备、自动化设备、医疗设备等,用于存储程序代码和关键数据。 2. 通信设备:如路由器、交换机、基站模块等,用于保存固件和配置信息。 3. 消费电子产品:例如数码相机、电子书、智能家电等,用于存储启动代码和系统设置。 4. 汽车电子系统:如车载导航系统、ECU(电子控制单元)等,用于存储系统软件和校准数据。 5. 物联网(IoT)设备:如智能传感器、远程监控设备等,用于存储固件更新和运行参数。 其优势在于高可靠性、低功耗设计和较长的数据保存时间,适合在工业级温度范围内运行,适用于对稳定性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | M29F800DB55N6E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP(12x20) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | FLASH - NOR |
| 存储容量 | 8M(1M x 8,512K x 16) |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 96 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |