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  • 型号: M29F400FT55N3E2
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供M29F400FT55N3E2由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 M29F400FT55N3E2价格参考。Micron Technology IncM29F400FT55N3E2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载M29F400FT55N3E2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有M29F400FT55N3E2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号M29F400FT55N3E2属于早期的闪存(Flash Memory)产品。具体来说,这是一款基于EPROM/EEPROM技术的并行闪存芯片,主要应用场景如下:

1. 嵌入式系统:该型号的闪存常用于嵌入式设备中,作为程序存储介质。它能够存储系统的固件(Firmware)或操作系统代码,支持设备启动和运行。

2. 工业控制:在工业自动化领域,这类闪存被广泛应用于控制器、PLC(可编程逻辑控制器)和数据采集系统中,用于存储控制程序和关键参数。

3. 通信设备:在一些老旧的通信设备中,如路由器、调制解调器和交换机,M29F400FT55N3E2可能被用作引导存储器(Boot Memory),保存设备的启动代码和配置信息。

4. 消费电子:尽管现代消费电子产品更多采用更先进的存储技术,但在早期的数码相机、打印机和游戏机等设备中,这种类型的闪存曾被用来存储固件或用户设置。

5. 汽车电子:部分汽车电子系统,如引擎控制单元(ECU)和车载娱乐系统,可能会使用此类闪存来存储控制算法或媒体数据。

6. 医疗设备:在一些医疗仪器中,如监护仪或诊断设备,这款闪存可用于存储设备校准数据或操作软件。

 技术特点:
- 容量:M29F400FT55N3E2的存储容量为4Mb(512KB),适用于对存储需求较低的应用场景。
- 接口:采用并行接口,适合需要较高数据传输速度的传统系统。
- 可靠性:具备较高的擦写寿命和数据保持能力,适合需要长期稳定运行的工业和商业环境。

需要注意的是,随着技术的发展,现代设备更多采用串行闪存(如SPI Flash)或其他更高密度的存储解决方案,因此这款产品更多出现在 legacy 系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

M29F400FT55N3E2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

44-SO

包装

托盘

存储器类型

FLASH - NOR

存储容量

4M(512K x 8,256K x 16)

封装/外壳

48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

工作温度

-40°C ~ 125°C

接口

并联

标准包装

96

格式-存储器

闪存

电压-电源

4.5 V ~ 5.5 V

速度

55ns

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