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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供LET9060C由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET9060C价格参考。STMicroelectronicsLET9060C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载LET9060C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有LET9060C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
LET9060C 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款射频MOSFET晶体管,适用于高频、高性能的无线通信系统。其主要应用场景包括: 1. 无线基站:用于4G/5G通信基站中的射频功率放大模块,提供高线性度和效率,支持多频段操作。 2. 射频测试设备:在射频信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中作为关键放大元件,确保信号的准确性和稳定性。 3. 工业通信系统:如点对点微波通信、广播发射机等,满足高可靠性与高输出功率需求。 4. 雷达与导航系统:用于航空、航海等领域的射频前端,具备良好的热稳定性和抗干扰能力。 5. 物联网(IoT)网关:在需要远距离、高带宽通信的IoT设备中作为射频功率放大器使用。 该器件具有高增益、低噪声系数和良好热性能,适合工作在GHz频段,广泛应用于现代通信基础设施中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 12A M-243射频MOSFET晶体管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET9060C- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | LET9060C |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-12492 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF224310?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 75W |
| 功率耗散 | 130 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | M243 |
| 封装/箱体 | M243 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 80V |
| 电流-测试 | 400mA |
| 系列 | LET9060 |
| 输出功率 | 90 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 12A |