Datasheet下载- 型号： JANTX1N6470US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTX1N6470US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTX1N6470US价格参考。MICRO-SEMIJANTX1N6470US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTX1N6470US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTX1N6470US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JANTX1N6470US 是由 Semtech Corporation 生产的一款二极管，属于高压瞬态电压抑制二极管（TVS）。该型号主要用于电路中的过电压保护，适用于航空航天、军工等对可靠性要求极高的领域。 其典型应用场景包括： 1. 航空航天电子系统：用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、雷击浪涌或电源突波的损害。 2. 军用通信设备：在恶劣电磁环境中提供稳定可靠的电压保护，确保通信系统的正常运行。 3. 工业控制系统：应用于高可靠性工业设备中，防止因电压瞬变导致的设备故障或损坏。 4. 电源管理系统：用于保护电源模块中的关键器件，提升整体系统的稳定性和寿命。 该器件具备高可靠性和优异的瞬态响应能力，符合JAN（Joint Army-Navy）认证标准，适合极端环境下的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 11VC GSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11067-sd51a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTX1N6470US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | G-MELF （D-5C） |
| 其它名称 | 1086-2632 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， G |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 11V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 775A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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