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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IS43DR86400D-3DBLI-TR由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS43DR86400D-3DBLI-TR价格参考。ISSIIS43DR86400D-3DBLI-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IS43DR86400D-3DBLI-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS43DR86400D-3DBLI-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IS43DR86400D-3DBLI-TR是ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的一款高速、低功耗的DDR2 SDRAM存储器。该器件采用64M x 72位架构,带ECC功能,工作电压为1.8V,封装为小型化的90-ball FBGA,适用于对空间和功耗敏感的应用场景。 该型号主要应用于工业自动化、网络通信设备、嵌入式系统及医疗电子等领域。由于其具备高可靠性与稳定性,特别适合在工业控制主板、路由器、交换机、视频监控设备以及车载信息终端中使用。此外,其支持扩展温度范围(通常为-40°C至+85°C),可在严苛环境条件下稳定运行,因此也广泛用于户外设备或工业级产品中。 IS43DR86400D-3DBLI-TR集成ECC纠错功能,可有效提升数据完整性,降低系统错误率,适用于对数据安全性要求较高的应用。同时,其小型封装有助于节省PCB空间,满足紧凑型设计需求。综合来看,这款存储器在高性能、低功耗与可靠性的平衡上表现优异,是工业与通信类高端嵌入式系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS43DR86400D-3DBLI-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-TWBGA (10.5x8) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M(64M x 8) |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |