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产品简介:
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IS42S81600F-6TL 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)公司推出的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 16位,采用高速CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问等特点。 该芯片主要适用于对数据存取速度要求较高、且需要非频繁刷新的场景,例如: 1. 网络通信设备:如路由器、交换机等设备中用于缓存地址表、转发信息等; 2. 工业控制设备:在PLC、工业计算机、自动化控制系统中用于快速数据缓冲与临时存储; 3. 测试测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等设备中进行高速数据采集与处理; 4. 嵌入式系统:如医疗设备、智能终端、视频处理模块中用于存储实时数据; 5. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶系统中的高速缓存应用; 6. 军工与航空航天:在对可靠性和稳定性有高要求的系统中作为高速存储单元。 该SRAM芯片由于其高速和稳定性,特别适合需要快速随机访问而不依赖时钟同步的系统设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SDRAM 128M 166MHZ 54TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS42S81600F-6TL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 54-TSOP II |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SDRAM |
存储容量 | 128M(16M x 8) |
封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 108 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
速度 | 166MHz |