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- 型号： IRLR210ATM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR210ATM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR210ATM价格参考。Fairchild SemiconductorIRLR210ATM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR210ATM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR210ATM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR210ATM 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装（注：实际该型号为DPAK/SO-8封装，IRLR系列多为表面贴装；IRLR210ATM为DPAK封装，非TO-220），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约0.4Ω @ Vgs=10V）、额定电压50V、连续漏极电流达6.7A（Tc=25°C），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 典型应用场景包括： ✅ 中小功率DC-DC转换器（如Buck/Boost电路中的同步整流或主开关管）； ✅ 电机驱动电路（如直流有刷电机、步进电机的H桥驱动中作为低侧开关）； ✅ 电源管理模块（如电子负载、LED恒流驱动、电池保护板中的充放电控制开关）； ✅ 工业控制与嵌入式系统中的负载开关、继电器替代方案（实现低功耗、无触点通断）； ✅ 消费类电子设备（打印机、机顶盒、智能家电等）中的电源次级侧开关与过流保护电路。 其DPAK封装适合中等功率密度PCB布局，支持自动贴片生产；内置体二极管可用于续流，但需注意反向恢复特性。设计时建议配合合适栅极驱动（避免振荡）、合理PCB散热铺铜，并在感性负载应用中加装续流二极管或RC吸收网络以提升可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR210ATM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.35A，5V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
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