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- 型号： IRFF9122
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFF9122由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFF9122价格参考。HarrisIRFF9122封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFF9122参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFF9122 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFF9122 是 International Rectifier（现属英飞凌 Infineon）推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装。其典型参数包括：VDS = –100 V，ID（连续）= –18 A，RDS(on) ≈ 0.22 Ω（VGS = –10 V），具备快速开关特性与内置体二极管。 主要应用场景包括： 1. DC-DC 转换器中的同步整流或高压侧开关（尤其适用于反相或负压输出拓扑）； 2. 电机驱动电路——用于控制小型直流有刷电机的反向/制动，或作为 H 桥中的上桥臂（配合 N 沟道下桥臂）； 3. 电源管理模块——如可编程负载开关、热插拔保护、负压电源的通断控制； 4. 工业控制与电源系统——如继电器替代、LED 恒流驱动的电流回路开关、电池供电设备中的负压域电源管理； 5. 音频/通信设备中——用作负电源轨的稳压开关或信号路径的模拟开关（需注意其栅极驱动要求）。 需注意：该器件为 P 沟道，适合高边开关应用，但导通需负栅源电压（如 –10 V），设计时应确保驱动电路能提供足够负压及足够驱动能力，避免因 VGS 不足导致导通电阻增大、温升过高。此外，TO-220 封装需合理散热设计。 （字数：398）
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