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- 型号： IRF641
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF641由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF641价格参考。HarrisIRF641封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF641参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF641 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF641 是由 Harris Semiconductor（后被 Intersil 收购，现属瑞萨电子）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其典型参数包括：VDS = 200 V，ID（连续）≈ 8.1 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 0.5 Ω（VGS=10 V），具备快速开关特性与较低栅极电荷。 该器件主要应用于中等电压、中等电流的开关电源场景，如： - 离线式 AC-DC 开关电源中的初级侧开关（适用于中小功率适配器、充电器）； - DC-DC 转换器（如 Buck、Flyback 拓扑）中的主开关管； - 电机控制电路（如小型直流电机、步进电机的驱动级）； - 电子镇流器、LED 驱动电源及 UPS 辅助电源模块； - 工业控制中的继电器替代、负载开关及过流保护电路。 IRF641 具备良好的雪崩耐受能力（UIS），适合存在感性负载或电压尖峰的工况。但需注意：其导通电阻相对较高，不适用于高频（>100 kHz）或大电流（>10 A）持续工作场合；建议配合合适散热器及栅极驱动电路（如图腾柱驱动）以保障可靠开关。 综上，IRF641 是一款成熟、经济、可靠的通用型功率开关器件，广泛用于对成本敏感、性能要求适中的工业与消费类电源及控制应用中。
产品参数
图文手册
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