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- 型号： IR2105STR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IR2105STR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IR2105STR价格参考。International RectifierIR2105STR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IR2105STR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IR2105STR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IR2105STR是一款高边/低边栅极驱动器，广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的电路中。其典型应用场景包括直流电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器、H桥驱动电路以及各类电机驱动系统。 该芯片支持自举供电方式，可驱动高边N沟道MOSFET，在半桥拓扑结构中表现优异，能有效降低系统成本与复杂度。凭借高达600V的耐压能力，IR2105STR适用于多种中等电压功率转换系统。其内置的逻辑死区时间防止上下桥臂直通，提高了系统可靠性。 常见应用领域包括电动工具、家用电器中的电机控制（如风扇、洗衣机）、UPS不间断电源、太阳能逆变器及工业自动化设备。由于采用SO-8封装并具备良好的抗干扰能力，IR2105STR适合紧凑型设计和高可靠性要求的环境。此外，其工作温度范围宽，可在工业级环境下稳定运行。 综上，IR2105STR凭借集成度高、驱动能力强、使用简便等特点，成为中小功率电力电子系统中理想的栅极驱动解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IR2105STR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 680ns |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | 10 V ~ 20 V |
| 电流-峰值 | 210mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
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