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  • 型号: IPW50R299CP
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R299CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R299CP价格参考。InfineonIPW50R299CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW50R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW50R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPW50R299CP 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装,典型导通电阻RDS(on)为299mΩ(@Tj=25°C),具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及优化的Eoss(输出电容储能),适用于高效率、高功率密度的中高频开关应用。

主要应用场景包括:  
✅ 工业开关电源(SMPS):如服务器/通信电源、PLC电源模块中的PFC(功率因数校正)级与主DC-DC变换器,凭借C7技术实现更高效率与更小散热设计;  
✅ 光伏逆变器:用于组串式逆变器的DC-AC升压级或MPPT电路,支持高频软开关与高可靠性运行;  
✅ 不间断电源(UPS):在线式UPS的逆变输出级,满足高效率、低THD及快速动态响应需求;  
✅ 电机驱动与工业变频器:中小功率(~1–3kW)通用变频器的逆变桥臂,兼顾开关性能与短路耐受能力(10μs短路耐受时间);  
✅ LED驱动电源:大功率可调光LED路灯/工矿灯电源中的高频准谐振(QR)或LLC拓扑。

该器件支持高达175°C结温,内置ESD保护,兼容主流驱动IC,推荐搭配英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动器(如1EDN/1EDS系列)以发挥最佳性能。需注意PCB布局优化(低感回路)、合理选配驱动电阻及散热设计,以确保系统长期稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPW50R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d325d19e0c29

产品图片

产品型号

IPW50R299CP

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 440µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1190pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

299 毫欧 @ 6.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IPW50R299CPFKSA1
SP000301163

功率-最大值

104W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

240

漏源极电压(Vdss)

550V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

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