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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R299CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R299CP价格参考。InfineonIPW50R299CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW50R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW50R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW50R299CP 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装,典型导通电阻RDS(on)为299mΩ(@Tj=25°C),具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及优化的Eoss(输出电容储能),适用于高效率、高功率密度的中高频开关应用。 主要应用场景包括: ✅ 工业开关电源(SMPS):如服务器/通信电源、PLC电源模块中的PFC(功率因数校正)级与主DC-DC变换器,凭借C7技术实现更高效率与更小散热设计; ✅ 光伏逆变器:用于组串式逆变器的DC-AC升压级或MPPT电路,支持高频软开关与高可靠性运行; ✅ 不间断电源(UPS):在线式UPS的逆变输出级,满足高效率、低THD及快速动态响应需求; ✅ 电机驱动与工业变频器:中小功率(~1–3kW)通用变频器的逆变桥臂,兼顾开关性能与短路耐受能力(10μs短路耐受时间); ✅ LED驱动电源:大功率可调光LED路灯/工矿灯电源中的高频准谐振(QR)或LLC拓扑。 该器件支持高达175°C结温,内置ESD保护,兼容主流驱动IC,推荐搭配英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动器(如1EDN/1EDS系列)以发挥最佳性能。需注意PCB布局优化(低感回路)、合理选配驱动电阻及散热设计,以确保系统长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW50R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d325d19e0c29 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPW50R299CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 299 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW50R299CPFKSA1 |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |