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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R190CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R190CE价格参考。InfineonIPW50R190CE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW50R190CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW50R190CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW50R190CE 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能650V CoolMOS™ CE系列超级结MOSFET,采用TO-247封装,典型导通电阻RDS(on)为190mΩ(@VGS=10V),具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及优化的EMI特性。 其主要应用场景包括: ✅ 工业开关电源(SMPS):如通信基站电源、服务器PSU、PLC电源等,适用于LLC谐振、准谐振(QR)及硬开关拓扑,提升效率与功率密度; ✅ 光伏逆变器:作为DC-AC升压级或逆变桥臂开关器件,支持高效率MPPT跟踪与可靠并网运行; ✅ 不间断电源(UPS):在在线式UPS的逆变输出级中实现高效、低热耗的工频/高频切换; ✅ 电机驱动系统:适用于中小功率(~1–3kW)变频器、伺服驱动器中的功率级,兼顾动态响应与温升控制; ✅ 电焊机与感应加热设备:利用其快速开关能力与雪崩耐受性,适应高di/dt、高dv/dt的严苛工况。 该器件特别适合对能效(如80 PLUS Titanium)、可靠性(AEC-Q101兼容设计基础)、散热管理及系统小型化有较高要求的应用。需配合优化的栅极驱动(推荐15V驱动电压)与PCB布局以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPW50R190CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 510µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1137pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 6.2A, 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW50R190CEFKSA1 |
| 功率-最大值 | 127W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18.5A (Tc) |