【未分类_IPP80CN10NGXKSA1】封装/厂家_IPP80CN10NGXKSA1中文资料_价格

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型号： IPP80CN10NGXKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80CN10NGXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP80CN10NGXKSA1价格参考。InfineonIPP80CN10NGXKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPP80CN10NGXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP80CN10NGXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP80CN10NGXKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型高压功率MOSFET（注意：该器件并非双极性晶体管BJT，而是CoolMOS™ C7系列的超结MOSFET），额定电压1000 V，连续漏极电流80 A（Tc=25°C），采用TO-247封装。  

其典型应用场景包括：  
- 工业开关电源与服务器/通信电源：用于PFC（功率因数校正）升压电路及主DC-DC变换器的高压侧开关，凭借低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ）和优异的开关性能，提升效率并减小散热需求；  
- 光伏逆变器与储能系统：适用于DC/AC逆变桥臂，耐受高直流母线电压（如1000 V PV系统），具备良好的dv/dt抗扰性和雪崩耐量；  
- 电机驱动与UPS系统：在中大功率（5–30 kW级）变频器、不间断电源的H桥或三相逆变模块中，实现高效、可靠的高频开关控制；  
- 感应加热与焊接设备：满足高频（数十kHz至百kHz）、高电压、高峰值电流的严苛工况，配合优化的栅极驱动可降低开关损耗。  

需特别说明：该型号属MOSFET，非BJT。若用户误归类为“双极性晶体管”，可能源于对功率半导体分类的理解偏差。英飞凌同系列BJT产品（如BUL系列）结构与应用特性显著不同。选型时应严格依据器件手册（DS: IPP80CN10N）确认参数与驱动要求。

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