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- 型号： IPP08CNE8NG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP08CNE8NG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP08CNE8NG价格参考。InfineonIPP08CNE8NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP08CNE8NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP08CNE8NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP08CNE8NG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具有8mΩ超低导通电阻（RDS(on)）、80V耐压、120A连续漏极电流（TC=25°C）及优化的体二极管特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信电源、工业AC-DC适配器中的同步整流与主开关管，凭借低RDS(on)和快速开关特性提升效率与功率密度； - 电机驱动：适用于BLDC（无刷直流）电机控制中的H桥下桥臂或单相驱动，支持高频PWM调制，降低导通与开关损耗； - DC-DC转换器：在车载DC-DC模块（如12V→5V/3.3V）、光伏逆变器辅助电源中作降压（Buck）开关管； - 电池管理系统（BMS）与电子负载：用于充放电保护回路、主动均衡开关及高电流电子负载的功率级； - 工业控制与UPS：在不间断电源输出级、PLC功率输出模块中承担高可靠性通断任务。 该器件具备卓越的雪崩耐受能力（UIS额定）、低栅极电荷（Qg≈72nC）及优异的热性能（RthJC=0.65K/W），适合高温、高可靠性要求的工业与汽车后装应用（非AEC-Q101认证，故不推荐用于前装车载主系统）。需配合合理PCB布局、散热设计及驱动电路（推荐12–15V栅极驱动电压）以发挥最佳性能。
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