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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI80N04S3-03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N04S3-03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N04S3-03价格参考。InfineonIPI80N04S3-03封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N04S3-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N04S3-03 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N04S3-03 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列（采用PG-TO263-3封装，实际为单芯片双MOSFET共源结构），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A）及优化的开关性能。其典型应用场景包括： • 汽车电子：广泛用于12V车载系统中的高边/低边开关，如电动座椅、车窗升降、雨刮电机驱动、LED大灯调光与电源管理模块，满足AEC-Q101可靠性认证要求； • 工业电机控制：适用于中小功率BLDC（无刷直流）电机的半桥或H桥驱动电路，如风扇、泵、自动化执行器等； • 服务器与通信电源：作为同步整流MOSFET或负载开关，用于DC-DC转换器（如POL模块）、热插拔电路及电源轨保护，提升能效与响应速度； • 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、均衡开关及短路保护电路，得益于其低RDS(on)和强雪崩耐受能力。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ 1.2–2.2 V），可直接由MCU或驱动IC控制，简化外围设计；集成ESD保护与优化的dv/dt抗扰性，增强系统鲁棒性。需注意其双管共源结构不支持独立源极配置，典型应用中常以并联增强电流或构建半桥拓扑。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba23a4587 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI80N04S3-03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 120µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N04S303AKSA1 |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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