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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI50R350CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI50R350CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI50R350CP价格参考。InfineonIPI50R350CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI50R350CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI50R350CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI50R350CP 是英飞凌（Infineon）推出的 500V、350mΩ（典型值）的 N 沟道增强型 CoolMOS™ C3 系列高压功率 MOSFET，采用 TO-220FP 封装（带绝缘法兰）。其核心应用场景聚焦于高效率、高可靠性中高功率开关需求领域： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业与通信类 AC-DC 电源适配器、服务器/基站电源中的主开关管（PFC 升压级或 LLC 谐振变换器原边），得益于低导通电阻（RDS(on)）与优化的优值系数（FOM），可显著降低导通与开关损耗。 2. 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的 DC-DC 升压级或辅助电源模块，满足高电压耐受（500V）、良好雪崩能力及高温稳定性要求。 3. 电机驱动与工业控制：在中小功率变频器、伺服驱动器、智能电表电源及 PLC 电源模块中，作为高频斩波开关，支持高效、紧凑设计。 4. LED 驱动电源：用于高功率 LED 工矿灯、路灯等恒流驱动电路的初级侧开关，具备良好的 EMI 特性与热性能。 该器件具备增强的体二极管反向恢复特性（CoolMOS™ C3 技术）、100% 雪崩测试、高 dv/dt 耐受能力及优异的温度稳定性，适合需兼顾效率、可靠性与成本的中端工业应用。注意：实际应用中需配合合理驱动（如12–15V 栅极电压）、散热设计及过压/过流保护措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 10A TO-262MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.350 Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI50R350CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI50R350CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42da42548b7 |
| 产品型号 | IPI50R350CP |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 370µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | SP000236084 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | IPI50R350 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI50R350CPXKSA1 SP000680736 |
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