图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPD50N06S2L-13
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50N06S2L-13由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50N06S2L-13价格参考。InfineonIPD50N06S2L-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD50N06S2L-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50N06S2L-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N06S2L-13_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD50N06S2L-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 80µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.7 毫欧 @ 34A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD50N06S2L13ATMA1 |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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