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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB60R299CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB60R299CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB60R299CP价格参考。InfineonIPB60R299CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB60R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB60R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB60R299CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、299mΩ（典型值）增强型N沟道CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装。其核心优势在于超低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能及出色的硬换流鲁棒性，适用于高效率、高功率密度的中高频开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 工业开关电源（SMPS）：如通信基站、服务器电源、PLC电源中的PFC（功率因数校正）级与主DC-DC变换器，可提升效率并减小散热器尺寸； ✅ 光伏逆变器：用于组串式逆变器的DC/AC升压与逆变桥臂，支持高开关频率（60–100 kHz），降低磁性元件体积； ✅ 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级中实现高效、低损耗能量转换； ✅ 电机驱动：适用于中小功率（如≤3 kW）工业变频器或伺服驱动的上桥臂开关，兼顾动态响应与热稳定性； ✅ LED驱动电源：高能效、宽输入电压范围的高功率LED路灯/工矿灯驱动方案。 该器件支持软开关（ZVS/ZCS）设计，具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定）和175°C结温，适合紧凑型、高可靠性要求的工业与能源系统。需配合优化的栅极驱动（推荐12–15 V驱动电压）与PCB热设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-263MOSFET COOL MOS N-CH 600V 31A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R299CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b |
| 产品型号 | IPB60R299CP |
| Pd-PowerDissipation | 96 W |
| Pd-功率耗散 | 96 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 299 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 299 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 299 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB60R299CPCT |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 299 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 系列 | IPB60R299 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB60R299CPATMA1 SP000301161 |
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