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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/100525_IPB60R099CPA_rev2_1_incl_notification.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a304328c6bd5c0128ee28d90159e0 |
产品图片 | |
产品型号 | IPB60R099CPA |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.2mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 18A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
其它名称 | IPB60R099CPAATMA1 |
功率-最大值 | 255W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |