ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD10,125
Datasheet下载- 型号： PUMD10,125
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD10,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD10,125价格参考。NXP SemiconductorsPUMD10,125封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD10,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD10,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD10,125 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用SOT23封装，具有体积小、集成度高、外围元件少等优点，适用于空间受限且对可靠性要求较高的电路设计。 典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑信号之间的转换，如将3.3V系统与5V系统进行接口匹配。 2. 开关控制：广泛用于便携式电子设备中的LED驱动、继电器或小型负载的开关控制，其内置电阻简化了基极驱动电路设计。 3. 信号放大与缓冲：适用于低频小信号放大或作为缓冲级，提升信号驱动能力。 4. 消费类电子产品：常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中的电源管理、传感器接口和I/O扩展电路。 5. 工业与汽车电子：由于具备良好的温度稳定性和可靠性，也可用于汽车电子模块（如车身控制、灯光控制）及工业控制单元中的信号处理。 PUMD10,125 因其高集成度和易用性，显著减少了PCB布局面积和元件数量，有助于降低整体成本并提高系统稳定性，特别适合大批量生产的紧凑型电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD10,125 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055239125 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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