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- 型号： IPA057N06N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA057N06N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA057N06N3G价格参考。InfineonIPA057N06N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA057N06N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA057N06N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA057N06N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（即标准SO-8改良版），具备低导通电阻（RDS(on)典型值仅5.7 mΩ @ VGS=10 V）、高电流能力（ID达60 A）、60 V耐压及优异的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 车载电子系统：广泛用于汽车车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动、雨刮/座椅/车窗电机驱动、DC-DC转换器（如12 V→5 V/3.3 V）等，满足AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 ✅ 工业电源与电机控制：适用于中小功率开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的POL（负载点）转换器、无刷直流（BLDC）电机驱动H桥的上下臂开关。 ✅ 消费类与嵌入式电源管理：如笔记本适配器次级同步整流、USB PD快充协议中的高压侧开关、智能家电（空调、洗衣机）的变频驱动模块。 该器件集成优化的体二极管，具备良好的反向恢复特性，可降低开关损耗与EMI；支持100% IAS雪崩能量测试，提升系统鲁棒性。综合其低RDS(on)、快速开关、小封装与车规级品质，特别适合对效率、尺寸与可靠性要求严苛的中高功率DC应用。
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