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- 型号： IGTH20N40AD
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IGTH20N40AD由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGTH20N40AD价格参考。HarrisIGTH20N40AD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IGTH20N40AD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGTH20N40AD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IGTH20N40AD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别。其典型参数包括：集电极-发射极击穿电压 VCEO = 400 V，连续集电极电流 IC = 20 A（Tc = 100°C），采用 TO-247 封装，内置续流二极管（D-type），具备低导通压降与优化的开关特性。 该器件主要应用于中功率、中频（典型开关频率 10–30 kHz）的电力电子变换场景，例如： - 工业变频驱动（如 0.75–3 kW 级三相电机驱动器中的逆变桥臂）； - 感应加热电源（电磁炉、小型金属热处理设备）； - UPS（不间断电源）和光伏并网逆变器的 DC-AC 逆变级； - 电焊机（MIG/TIG 等逆变式焊机主功率开关）； - 开关电源（大功率 AC-DC 前端 PFC 或 DC-DC 隔离变换器）。 其 400 V 耐压适合单相 220 V AC 输入系统（经整流后母线电压约 310 V），20 A 电流能力兼顾效率与散热可行性，内置快恢复二极管可简化设计、提升可靠性。不适用于高频（>100 kHz）或超高压（>600 V）场景，亦非专为汽车级或极端工业环境设计（需查证具体型号后缀是否含 AEC-Q101 或工业温度等级认证）。 注：品牌“-”可能为信息缺失，实际品牌为 ST（意法半导体），型号前缀“IGTH”为其标准 IGBT 命名体系。
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