Datasheet下载- 型号： IGB30N60T
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IGB30N60T由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGB30N60T价格参考。InfineonIGB30N60T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IGB30N60T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGB30N60T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IGB30N60T 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、30A单通道IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-247封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=30A）、快速开关特性及内置续流二极管（部分版本含反并联快恢复二极管），适用于中高功率、中等频率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 工业变频器与电机驱动：用于三相逆变桥臂，驱动3–7.5kW交流异步或永磁同步电机，满足空调压缩机、泵类、风机等对效率与可靠性的要求； ✅ 不间断电源（UPS）：作为DC-AC逆变级核心开关器件，支持高频PWM调制，提升电能转换效率与动态响应； ✅ 感应加热设备：在20–100kHz工作频段下实现高效能量耦合，适用于电磁炉、工业热处理电源； ✅ 光伏并网逆变器：用于升压级（Boost）或逆变级（尤其在中小功率组串式机型中），兼顾效率与EMI性能； ✅ 焊接电源与电镀电源：提供稳定大电流输出与快速电流控制能力。 该器件不适用于极高频（>100kHz）或超低压（<400V）场景，亦非MOSFET替代品——其设计权衡了导通损耗与开关损耗，在600V/30A等级中兼顾性价比与鲁棒性，广泛用于对成本、散热和系统可靠性有综合要求的工业电力电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 23ns/254ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 167nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGB30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4280cd93d4a |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IGB30N60T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchStop® |
| SwitchingEnergy | 1.46mJ |
| TestCondition | 400V, 30A, 10.6 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.05V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 其它名称 | IGB30N60TATMA1 |
| 功率-最大值 | 187W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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