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  • 型号: IDT7200L35SO8
  • 制造商: Integrated Device Technology
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IDT7200L35SO8由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT7200L35SO8价格参考。Integrated Device TechnologyIDT7200L35SO8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IDT7200L35SO8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IDT7200L35SO8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IDT7200L35SO8 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款 FIFO(先进先出)存储器,属于逻辑类集成电路中的异步FIFO产品。该芯片采用8位数据总线宽度,支持双端口读写操作,适用于需要缓存和数据流控制的场景。

其主要应用场景包括:

1. 通信系统:用于串行通信接口中缓存数据,如UART、以太网控制器等,平衡发送与接收速率差异,防止数据丢失。

2. 工业控制设备:在PLC、工业计算机或嵌入式控制系统中作为数据缓冲器,提高系统处理突发数据的能力。

3. 测试测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等设备中暂存采集到的数据,便于后续处理与分析。

4. 图像处理与视频采集:在低速图像传输系统中用作图像数据缓存,缓解主控芯片与传感器之间的速度不匹配问题。

5. 音频设备:在数字音频系统中缓冲音频流,确保播放流畅性,避免中断或卡顿。

IDT7200L35SO8具有异步双时钟设计,适用于不同频率域间的数据传输,具备较高的可靠性和稳定性,适合中低端数据速率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC MEM FIFO 256X9 35NS 28-SOIC

产品分类

逻辑 - FIFO 存储器

FWFT支持

品牌

IDT, Integrated Device Technology Inc

数据手册

http://www.idt.com/document/720072017202-datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IDT7200L35SO8

PCN过时产品

http://www.idt.com/document/pdn/pdn-fs-13-03-product-discontinuance-notice

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

7200

中继能力

供应商器件封装

28-SOIC

其它名称

7200L35SO8

功能

异步

包装

带卷 (TR)

可编程标志支持

存储容量

2.25K (256 x 9)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

28-SOIC(0.345",8.77mm 宽)

工作温度

0°C ~ 70°C

总线方向

单向

扩充类型

深度,宽度

数据速率

22.2MHz

标准包装

1,000

电压-电源

4.5 V ~ 5.5 V

电流-电源(最大值)

80mA

访问时间

35ns

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