Datasheet下载- 型号： IDT71T75602S200PFI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDT71T75602S200PFI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT71T75602S200PFI价格参考。Integrated Device TechnologyIDT71T75602S200PFI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDT71T75602S200PFI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDT71T75602S200PFI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT71T75602S200PFI 是由 Integrated Device Technology Inc（IDT）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于双端口RAM，容量为 512K × 36 位，工作频率可达 200 MHz。该器件采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点。 其主要应用场景包括： 1. 通信设备：广泛用于路由器、交换机和基站等高速数据处理系统中，作为数据缓存或共享内存，支持双端口同时访问，提升数据吞吐效率。 2. 网络基础设施：在需要实时数据交换的网络处理器和FPGA协处理系统中，该SRAM可用于实现高效的多处理器共享内存架构。 3. 工业控制与自动化：适用于对响应速度要求高的控制系统，如PLC、运动控制器等，确保关键数据快速读写。 4. 测试与测量仪器：在高性能示波器、逻辑分析仪等设备中，用作临时数据存储，满足高速采样和实时处理需求。 5. 军事与航空航天电子系统：因其高稳定性和可靠性，适用于雷达信号处理、飞行控制系统等严苛环境。 IDT71T75602S200PFI 提供无铅、工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）的封装（如PQFP），适合宽温环境下长期稳定运行。其双端口设计允许两个独立系统同时访问同一存储阵列，避免数据冲突，特别适用于多处理器协同工作的复杂系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71t7560271t75802-datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71T75602S200PFI |
| PCN过时产品 | http://www.idt.com/document/pdn-sr-09-09-product-discontinuance-notice-selected-sram-devices |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 100-TQFP（14x14） |
| 其它名称 | 71T75602S200PFI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 72 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 速度 | 200MHz |
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