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产品简介:
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IDT6116LA20SO8是美国IDT(Integrated Device Technology)公司生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。其主要参数为16K位容量、工作电压为5V、访问时间为20ns,采用SO8(Small Outline 8)封装形式,属于高速低功耗存储器。 该芯片主要适用于对数据存储速度要求较高的场景,例如: 1. 网络设备:用于路由器、交换机等设备中的数据缓存和临时存储; 2. 工业控制设备:如PLC控制器、工业计算机等,用于存储运行时的临时数据; 3. 通信设备:在基站、光模块等通信模块中用于高速数据缓冲; 4. 测试仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于快速数据采集与存储; 5. 消费类电子产品:部分高端音视频设备中用于缓存处理数据; 6. 汽车电子:用于车载控制系统中,如ECU、导航系统等。 由于其高速访问特性与稳定性能,IDT6116LA20SO8广泛应用于需要可靠数据存储与快速访问的嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT6116LA20SO8 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 24-SOIC |
| 其它名称 | 6116LA20SO8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 16K (2K x 8) |
| 封装/外壳 | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |