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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HZS3BLLTA-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS3BLLTA-E价格参考。RNSHZS3BLLTA-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZS3BLLTA-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZS3BLLTA-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZS3BLLTA-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的超小型、低功耗齐纳二极管(单管),采用EMT3(SOT-523)封装,标称稳压值为3.0 V(容差±5%),最大稳定电流IZM为5 mA,典型动态电阻低至120 Ω,反向漏电流极小(IR ≤ 100 nA @ VR = 1.0 V)。 其主要应用场景包括: 1. 精密低压参考源:适用于便携式设备(如TWS耳机、智能手环、IoT传感器节点)中MCU或ADC的基准电压生成,尤其在3V供电系统中提供稳定、低漂移的参考点; 2. 电源轨钳位与过压保护:配合TVS或限流电阻,用于USB接口、I²C/SPI总线等信号线的ESD防护与电压箝位,防止瞬态过压损坏后级芯片; 3. 低功耗LDO辅助稳压:在对噪声敏感的模拟前端(如运放偏置、RF收发器VCO供电)中,作为低成本、低噪声的局部稳压元件; 4. 电池电压监测阈值电路:利用其稳定击穿特性构建简易电池欠压检测(如锂电3.0V关断点),适用于空间受限的纽扣电池供电设备。 该器件凭借超小尺寸(1.2×0.8×0.5 mm)、低漏电和高可靠性,特别适合高密度、电池供电及长期免维护的嵌入式应用。需注意其功率限制(PZM ≈ 15 mW),不适用于大电流稳压场景。