【未分类_HVU358-2TRF-E】封装/厂家_HVU358-2TRF-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HVU358-2TRF-E
制造商： RNS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HVU358-2TRF-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVU358-2TRF-E价格参考。RNSHVU358-2TRF-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HVU358-2TRF-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HVU358-2TRF-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HVU358-2TRF-E 是日立（现为瑞萨电子旗下）推出的高性能硅超突变结可变电容二极管（Varactor Diode），专为高频调谐应用优化。其典型应用场景包括：  
1. VCO（压控振荡器）：利用其高Q值（>100 @ 500 MHz）、宽电容调节范围（约2.5–25 pF，C₀/C₂₀ ≈ 10:1）及低相位噪声特性，广泛用于无线通信系统（如4G/5G基站、微波回传）中的频率合成器和本地振荡器；  
2. 自动频率控制（AFC）与调谐电路：在射频前端模块中，配合PLL实现信道快速锁定与温度漂移补偿；  
3. 电子调谐滤波器（ETF）：用于基站收发信机或测试仪器中，实现带宽/中心频率动态重构；  
4. FM调制与高频信号发生器：凭借良好的线性C-V特性（γ ≈ 0.75）和高反向击穿电压（≥25 V），支持稳定宽带调频。  
该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，并具备优异的温度稳定性（-40°C 至 +125°C），适用于工业级和通信级设备。需注意：须严格遵守最大反向偏压与射频功率限制，避免过热导致参数漂移。

产品参数图文手册常见问题