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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HVC306C1TRU-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVC306C1TRU-E价格参考。RNSHVC306C1TRU-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HVC306C1TRU-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HVC306C1TRU-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HVC306C1TRU-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的高性能硅基高压可变电容二极管(Varactor Diode),专为射频(RF)调谐应用优化设计。其典型应用场景包括: - VCO(压控振荡器)调谐回路:利用其宽电容调谐范围(约2.5–25 pF,随反向偏压变化)和高Q值特性,实现低相位噪声、高稳定性的频率合成,广泛用于无线通信收发器(如Wi-Fi 6/6E、蓝牙、Sub-GHz IoT模块)。 - RF前端可调匹配网络(Tunable Impedance Matching):在天线调谐(Antenna Tuning)或功率放大器(PA)输出匹配中,动态补偿因环境、频段或器件老化引起的阻抗失配,提升辐射效率与能效。 - 可编程滤波器与调谐带通/陷波电路:配合电感构成LC谐振单元,用于软件定义无线电(SDR)、多频段基站射频模块中的动态频点选择与干扰抑制。 - 高压调谐应用:支持最高30 V反向偏压,适用于需更高调谐线性度与功率耐受能力的工业、汽车雷达(如24 GHz短距雷达)及医疗射频设备。 该器件采用超小型SC-79封装,具备低串联电阻(Rs)、优异温度稳定性及AEC-Q200兼容性(适用于车规级设计),适合高集成度、小尺寸、高可靠性要求的现代无线系统。