Datasheet下载- 型号： HUFA76633S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76633S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76633S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76633S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76633S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76633S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA76633S3ST 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（采用 TO-220AB 封装，带绝缘片），主要面向高可靠性、中高功率开关应用。其典型应用场景包括： - 工业电源与开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、服务器/通信电源中的初级侧开关、PFC（功率因数校正）升压开关等，得益于其 600V 耐压和较低的 Rds(on)（典型值 0.18Ω @ Vgs=10V），可提升效率并降低温升。 - 电机驱动控制：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动、步进电机驱动器或工业风扇/泵的 H 桥/半桥上管，支持高频 PWM 开关（典型开关速度较快，Qg 约 50nC）。 - 照明电子镇流器与LED 驱动：在 HID 灯、大功率 LED 恒流驱动电路中作为主开关器件，满足高电压隔离与稳定导通需求。 - 不间断电源（UPS）与逆变器：在后备式/在线式 UPS 的 DC-AC 逆变级或电池切换电路中，提供可靠、低损耗的功率通断控制。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated）、良好的 dv/dt 抗扰性及增强的体二极管反向恢复特性，适合硬开关环境；TO-220AB 封装便于散热设计与传统 PCB 安装。不适用于高频谐振拓扑（如 LLC）或需超低 Qg 的 GaN 替代场景，但对成本敏感、强调鲁棒性与成熟性的工业应用极具优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76633S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1820pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 39A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 145W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 39A （Tc） |
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