Datasheet下载- 型号： HUFA75637P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75637P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75637P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75637P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75637P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75637P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75637P3 是一款高压、高功率 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 500 V 耐压、18 A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.22 Ω）及快速开关特性。其主要应用场景包括： - 工业电源与开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、服务器/通信电源中的主开关管或 PFC（功率因数校正）升压开关。 - 电机驱动系统：用于中小功率 BLDC 电机控制器、工业变频器及电动工具驱动电路中，承担高频 PWM 开关功能。 - 照明电子镇流器与LED驱动：在高压LED恒流驱动或高频电子镇流器中作为功率开关，支持高效、低EMI运行。 - 不间断电源（UPS）与逆变器：在DC-AC逆变环节中用作输出级开关器件，满足高电压、中等电流的硬开关需求。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和良好的热稳定性，适合在较宽温度范围（–55°C 至 +150°C）下可靠工作，但需注意其栅极驱动电压（推荐10–15 V）及散热设计。不适用于低压大电流（如电池供电便携设备）或极高频（>500 kHz）场景，因其封装电感和开关损耗相对较高。总体定位为通用型高压功率开关，侧重工业级可靠性与性价比。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75637P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 108nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 44A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 155W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
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