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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA75329S3ST 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有 60V 耐压、14A 连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 0.055Ω)及快速开关特性。其主要应用场景包括: - DC-DC 电源转换:广泛用于中功率开关电源(如适配器、工业电源)的同步整流或主开关管,提升效率与功率密度; - 电机驱动:适用于中小功率直流电机(如风扇、泵、电动工具)的 H 桥或单边驱动电路,支持 PWM 调速; - 负载开关与电源管理:在嵌入式系统、工控设备中用作高侧/低侧电源通断控制,具备过流保护兼容性; - LED 驱动:用于恒流 LED 电源的开关调节级,满足调光与能效要求; - 逆变器与 UPS:在小功率离网逆变器或后备电源中承担 DC-AC 功率级开关功能。 该器件具备良好的热稳定性与雪崩耐量(UIS),适合中等频率(≤100kHz)硬开关应用。需注意合理设计栅极驱动(推荐 10–12V 驱动电压)及散热(建议加装散热片),以确保长期可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75329S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 49A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Tc) |