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- 型号： HUF76432P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76432P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76432P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76432P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76432P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76432P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76432P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.028Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=56A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流、Buck/Boost变换器等，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单边驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在工业控制、智能电表、LED驱动电源中用作高效电子开关，实现上电时序控制、过流保护和热插拔功能； 4. 逆变器与UPS系统：作为功率级开关器件，参与AC/DC或DC/AC能量转换； 5. 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性标准（注：HUF76432P3为工业级，非车规；若用于车载需确认具体批次认证），常见于车身控制模块（BCM）、风扇/泵驱动等12V系统。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），可承受一定感性负载关断应力；栅极阈值电压（Vgs(th)≈2–4V）适配3.3V/5V逻辑驱动，亦兼容专用MOSFET驱动IC。设计时建议优化PCB布局以降低寄生电感，并配合合理散热（如加装散热片）以保障持续大电流工作稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76432P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1765pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 59A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 59A （Tc） |
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