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- 型号： HM4-6617B-9
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HM4-6617B-9由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HM4-6617B-9价格参考。HarrisHM4-6617B-9封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HM4-6617B-9参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HM4-6617B-9 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HM4-6617B-9 是一款由日本日立（Hitachi，后存储业务并入瑞萨电子Renesas）推出的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为64K×1位（即64 Kb），采用双列直插封装（DIP），工作电压为+5V，访问时间典型值为17ns。 该芯片主要应用于20世纪80–90年代的嵌入式系统与工业控制设备中，典型场景包括： - 工业PLC（可编程逻辑控制器）中的高速缓存或数据暂存区； - 早期数控机床（CNC）和自动化设备的实时数据缓冲； - 通信设备（如程控交换机接口板、协议转换器）中的寄存器映射内存或FIFO辅助存储； - 仪器仪表（如数字示波器、逻辑分析仪）的采样数据暂存； - 老式计算机终端、打印机控制器及专用工控主板的片上外扩RAM。 因其低功耗、高可靠性及兼容TTL电平的特性，特别适合对稳定性与响应速度要求较高、但无需大容量存储的实时嵌入式环境。需注意：该型号已停产多年，现多用于老旧设备维保或替代升级项目，实际应用中常被现代低功耗SRAM或FPGA片内RAM替代。
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