图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HM1-6508B-9由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HM1-6508B-9价格参考。HarrisHM1-6508B-9封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HM1-6508B-9参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HM1-6508B-9 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HM1-6508B-9 是哈里斯公司(Harris Corporation)于20世纪70年代末至80年代初推出的双极型高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为1K×8位(即1024字节),存取时间典型值为9ns,采用双列直插封装(DIP)。该器件属于早期高性能SRAM,主要面向对速度和可靠性要求较高的军用与工业级应用场景。 其典型应用包括: 1. 军用电子系统:如雷达信号处理单元、火控计算机、战术通信设备等,得益于哈里斯在军工领域的深厚背景,该芯片通过了严格的军温(–55℃~+125℃)、抗辐射及高可靠性认证; 2. 高端工业控制与测试仪器:用于实时数据缓存、状态寄存器或微处理器(如Motorola 6800/6809、Zilog Z80)的高速本地内存,满足快速中断响应与确定性时序需求; 3. 航天与航空电子子系统:曾用于部分卫星遥测接口、飞行控制模块的缓冲存储,因其CMOS工艺尚未普及前,双极型SRAM具备更优的抗单粒子翻转(SEU)特性和温度稳定性; 4. 早期工作站与专用计算机:作为CPU二级缓存或关键I/O控制器的片上RAM,支撑高频总线操作。 需注意:该型号已于上世纪90年代停产,现仅见于老旧设备维护、历史系统复原或收藏领域,无现代商用或消费类应用。