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  • 型号: TK10A60D(STA4,Q,M)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK10A60D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10A60D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10A60D(STA4,Q,M)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS。您可以下载TK10A60D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK10A60D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK10A60D(STA4,Q,M)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A60D点击此处下载产品Datasheet

产品型号

TK10A60D(STA4,Q,M)TK10A60D(STA4,Q,M)

Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

750 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

750 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

55 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 毫欧 @ 5A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220SIS

其它名称

TK10A60DSTA4QM

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

45W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

750 mOhms

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

10 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Ta)

配置

Single

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