【未分类_HGTD3N60A4S】封装/厂家_HGTD3N60A4S中文资料_价格

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型号： HGTD3N60A4S
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD3N60A4S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD3N60A4S价格参考。Fairchild SemiconductorHGTD3N60A4S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD3N60A4S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD3N60A4S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD3N60A4S 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247AD封装，额定电压600V、连续漏极电流3.5A（Tc=25℃），具备低导通电阻（Rds(on)典型值1.8Ω）、快速开关特性及优化的体二极管反向恢复性能。

其典型应用场景包括：  
1. 中小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、工业辅助电源中用作主开关管，适用于反激（Flyback）、准谐振（QR）及部分LLC拓扑；  
2. 离线式电源系统：因600V耐压满足通用宽电压输入（85–265VAC）要求，常用于待机电源、PFC后级DC-DC转换；  
3. 电机控制与家电应用：在小功率无刷直流（BLDC）电机驱动、变频风扇/水泵控制器中作为桥臂开关；  
4. 消费电子与工业控制：如打印机电源、安防设备供电模块、PLC接口电路等对效率、尺寸和可靠性有要求的场合。

该器件强调高能效与热稳定性，适合需兼顾成本与性能的中端应用。注意：其为单N沟道增强型MOSFET，非IGBT（型号中“UGBT”属分类误标，实际为MOSFET），设计时需匹配合适的栅极驱动与散热方案。

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