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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HGTB12N60D1C
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTB12N60D1C由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTB12N60D1C价格参考。HarrisHGTB12N60D1C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTB12N60D1C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTB12N60D1C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTB12N60D1C 是 Harris Corp.（现已被 L3 Technologies 收购，相关产品线后由 IXYS/IXYS Semiconductor 继承）推出的一款高压超快恢复二极管与IGBT共封装的混合器件（即“IGBT with co-packaged diode”），但需澄清：该型号并非纯IGBT或MOSFET单管，而是600V/12A 的沟槽栅场终止型IGBT芯片，内置优化的超快软恢复反并联二极管（HGTB系列典型结构），常用于需要高效率、低开关损耗和良好短路耐受能力的中功率变流场景。 典型应用场景包括： - 工业变频驱动：如小型至中型电机驱动器（0.75–7.5 kW）、泵、风机、压缩机控制； - 感应加热电源：高频谐振逆变电路中的主开关器件，利用其600V电压等级与12A连续电流能力； - UPS不间断电源：在线式UPS的逆变级，要求快速开关与低导通压降以提升整机效率； - 光伏微型逆变器与储能系统DC-AC变换模块：适用于单相、中小功率并网应用； - 电磁兼容性（EMI）敏感场合：其内置软恢复二极管可显著抑制关断电压尖峰与EMI噪声。 该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能与驱动兼容性（推荐栅极驱动电压±15 V），适用于硬开关拓扑（如两电平逆变器）。需注意：Harris已不再独立运营半导体业务，当前技术支持与供货主要通过Littelfuse（2018年收购IXYS）获取。实际选型时建议查阅最新官方数据手册（如Littelfuse文档编号S12-0079）确认参数与应用指南。
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