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- 型号： HGT1S7N60B3DS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S7N60B3DS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S7N60B3DS价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S7N60B3DS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S7N60B3DS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S7N60B3DS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S7N60B3DS 是由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600V，典型导通电阻Rds(on)约1.1Ω（Vgs=10V），具备快速开关、低开关损耗和高可靠性等特点。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、服务器电源及工业电源的主功率开关级（如PFC升压电路或LLC谐振变换器的同步整流/主开关）； - LED驱动电源：适用于中大功率LED路灯、工矿灯等恒流驱动方案中的高频斩波与调光控制； - 电机驱动：用于小功率变频器、风机/水泵控制器及家电（如空调压缩机驱动）中的单相逆变桥臂开关； - 光伏逆变器：在微型逆变器或组串式逆变器的DC-DC升压级中承担高效能量转换任务； - 电磁加热（IH）设备：作为谐振逆变桥的核心开关器件，支持高频（20–100kHz）工作，满足高效率与低EMI要求。 该器件内置ESD保护与优化体二极管，具备良好雪崩耐受能力，适合硬开关与软开关拓扑。需注意：其为单通道增强型N沟道MOSFET（非IGBT），不适用于大电流低频（<20kHz）重载场景；设计时应合理布局PCB、优化栅极驱动（推荐12–15V驱动电压）并做好热管理。
产品参数
图文手册
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